23 दिसंबर को, पोहांग यूनिवर्सिटी ऑफ टेक्नोलॉजी में न्यू मैटेरियल्स इंजीनियरिंग विभाग के एक शोध समूह ने घोषणा की कि उन्होंने एक नए प्रकार के एलईडी तत्व का निर्माण किया है जो ग्रेफीन परतों और हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड (एचबीएन) की सैंडविच संरचना के आधार पर गहरी पराबैंगनी प्रकाश का उत्सर्जन करता है। परतें। . शोध दल ने समझाया कि अब तक, गहरी पराबैंगनी किरणों का उत्सर्जन करने वाले उपकरणों में मुख्य रूप से पारा या एल्यूमीनियम गैलियम नाइट्राइड से बने घटकों का उपयोग किया जाता है, लेकिन इन पारंपरिक घटकों में प्रदूषण या चमकदार दक्षता की समस्या होती है। शोध के परिणाम हाल ही में दुनिया में -प्रसिद्ध अकादमिक पत्रिका नेचर कम्युनिकेशंस में प्रकाशित हुए थे।
▲ h-BN deep ultraviolet LED. Schematic showing strong deep ultraviolet emission using graphene, h-BN, and van der Waals heteronanomaterials with graphene structures (C)
पोहांग प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय के अनुसार, वर्तमान में गहरे पराबैंगनी एलईडी अनुसंधान में उपयोग की जाने वाली मुख्य सामग्री एल्यूमीनियम गैलियम नाइट्राइड है (बाद में इसे AlxGa1-xN के रूप में संदर्भित किया गया है)। हालांकि, इस सामग्री की एक मौलिक सीमा है कि तरंगदैर्घ्य कम होने के कारण इसके ल्यूमिनसेंट गुण तेजी से बिगड़ते हैं।
In order to break through this limitation, POSTECH uses h-BN as a device material, whose single-atom layer structure is similar to graphene and its appearance is transparent, so it is also called "white graphene".
यह बताया गया है कि, AlxGa1-xN के विपरीत, यह गहरे पराबैंगनी क्षेत्र में उज्ज्वल प्रकाश का उत्सर्जन करता है और इसे एक नई सामग्री माना जाता है जिसका उपयोग गहरी पराबैंगनी एल ई डी विकसित करने के लिए किया जा सकता है। हालांकि, बड़े बैंड गैप के कारण, इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को इंजेक्ट करना मुश्किल है, इसलिए एलईडी नहीं बनाई जा सकती हैं। लेकिन अगर h-BN नैनोफिल्म पर एक मजबूत वोल्टेज लागू किया जाता है, तो सुरंग प्रभाव के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को इंजेक्ट किया जा सकता है। इसलिए, ग्रेफीन, एच-बीएन, और ग्रैफेन के साथ वैन डेर वाल्स विषम नैनोमटेरियल्स के ढेर पर आधारित एलईडी डिवाइस तैयार किए गए थे, और यह गहरी यूवी स्पेक्ट्रोस्कोपी द्वारा पुष्टि की गई थी कि वास्तविक डिवाइस मजबूत यूवी प्रकाश उत्सर्जित करता है।
Professor Jin Zhonghuan from the Department of Materials Science and Engineering of the university said: "The development of new high-efficiency LED materials in a new wavelength range can be a starting point for the application of optical devices. The significance of this research on h-BN lies in the realization of deep ultraviolet LED manufacturing. .
In addition, compared with the existing AlxGa1-xN material, it has significantly higher luminous efficiency, and the device can be miniaturized. "
