गुआंगमाई टेक्नोलॉजी 1W 3W येलो 3535 SMD LED चिप 585nm 590nm 595nm बनाने में पेशेवर है।
सेमीकंडक्टर पीली एलईडी तकनीक ने सफलता की प्रगति की है
57 वर्षों के विकास के बाद, दृश्यमान प्रकाश एल ई डी ने पूर्ण रंग प्राप्त कर लिया है, जिससे मनुष्यों को रंगीन दृश्य दावतें और उच्च दक्षता वाले ऊर्जा-बचत वाले प्रकाश स्रोत मिलते हैं। हालांकि, लंबे समय से, रंगीन एलईडी प्रकाश दक्षता (प्रकाश शक्ति दक्षता) का विकास बहुत असंतुलित है। उनमें से, पीले एलईडी की प्रकाश दक्षता अन्य रंगों की तुलना में बहुत कम है। नतीजतन, उच्च प्रकाश दक्षता वाली पीली रोशनी को फास्फोरस के तरंग दैर्ध्य रूपांतरण के माध्यम से प्राप्त करना पड़ता है। यह [जीजी] उद्धरण;इलेक्ट्रिक-ऑप्टिकल-ऑप्टिकल [जीजी] उद्धरण; रूपांतरण प्रौद्योगिकी समाधान वर्तमान में एलईडी प्रकाश व्यवस्था की मुख्यधारा की तकनीक है। हालांकि, फॉस्फोरस में प्रकाश-से-प्रकाश रूपांतरण प्रक्रिया में निहित कमियां होती हैं, जैसे कि बड़ी गर्मी का नुकसान, बड़ी गर्मी और प्रकाश क्षय, और धीमी प्रतिक्रिया, जो उच्च गुणवत्ता वाले प्रकाश की दिशा में एलईडी के तेजी से विकास को प्रतिबंधित करती है और उच्च- गति दृश्य प्रकाश संचार।
इसलिए, [जीजी] उद्धरण को हल करना;पीला प्रकाश अंतर [जीजी] उद्धरण; इस क्षेत्र में एक आकर्षक लक्ष्य बन गया है। उच्च दक्षता वाले पीले एल ई डी के निर्माण के लिए किस प्रकार का सब्सट्रेट, सामग्री, उपकरण संरचना, चिप संरचना और उपकरण का उपयोग किया जा सकता है? लंबे समय से देश-विदेश में कोई जवाब नहीं है।
दो पीले प्रकाश सामग्री प्रणालियों में, जैसे ही AlGaInP की तरंग दैर्ध्य लाल बत्ती से पीली रोशनी में बदल जाती है, बैंड गैप प्रत्यक्ष से अप्रत्यक्ष में बदल जाता है, और दक्षता में तेजी से गिरावट आती है। यह एक शारीरिक अड़चन है; जबकि इंडियम गैलियम नाइट्राइड एक सीधा बैंड गैप है, जो सबसे बड़ा है। कठिनाई उच्च गुणवत्ता, उच्च-ईण्डीयुम सामग्री इंडियम गैलियम नाइट्रोजन क्वांटम वेल सामग्री को विकसित करना है, जो एक तकनीकी अड़चन है। पीले एलईडी क्वांटम कुएं की इंडियम संरचना लगभग 30% है, जो स्पष्ट रूप से नीले क्वांटम की इंडियम संरचना से लगभग 15% अधिक है। उच्च ईण्डीयुम सामग्री के साथ ईण्डीयुम गैलियम नाइट्रोजन के विकास में कई कठिनाइयाँ हैं: कम वृद्धि तापमान अमोनिया क्रैकिंग, कम नाइट्रोजन रिक्तियों, धीमी परमाणु प्रवास और खुरदरी सतह, विभिन्न मोटाई के साथ फजी और बाधा इंटरफेस, असमान इंडियम संरचना, और गंभीर ईण्डीयुम अलगाव का कारण बनता है चरण पृथक्करण, InGaN / GaN मजबूत ध्रुवीकरण वाहक तरंग कार्यों के कम ओवरलैप लाता है, और इसी तरह।
हाल ही में, नानचांग विश्वविद्यालय के जियांग फेंगई अनुसंधान समूह ने फोटोनिक्स रिसर्च: एफिशिएंट इनगैन आधारित येलो लाइट-एमिटिंग डायोड में एक लेख प्रकाशित किया, जिसने येलो लाइट बैंड एलईडी सामग्री के डिजाइन और निर्माण तकनीक में सफलता की प्रगति का प्रदर्शन किया। मूल GaN/Si-आधारित नीली एलईडी सामग्री, उपकरण संरचना और चिप संरचना के आधार पर, उन्होंने नई सामग्री संरचनाएं, नए विकास उपकरण और नई प्रक्रियाएं तैयार कीं। उन्होंने तीन प्रमुख बेमेल (बड़े थर्मल विस्तार गुणांक बेमेल, बड़े बैंड गैप चौड़ाई बेमेल, और बड़े जाली निरंतर बेमेल) को तीन प्रमुख लाभों में बदल दिया।
अनुसंधान समूह ने ग्रिड-आधारित सामग्री विकास पद्धति और प्रौद्योगिकी का आविष्कार किया। अनियमित दरारों को बदलने के लिए सब्सट्रेट पर एक नियमित ग्रिड का निर्माण किया जाता है, जो GaN/Si तनाव संचय प्रभाव को समाप्त करता है और सामग्री के कारण होने वाली दरारों की समस्या को हल करता है। प्रकाश उत्सर्जक चिप्स का निर्माण करने में सक्षम नहीं होने की समस्या में उच्च प्रदर्शन वाले इंडियम गैलियम नाइट्राइड सामग्री को उच्च इंडियम सामग्री के साथ बढ़ने का लाभ भी है क्योंकि तन्यता तनाव के तहत GaN को बनाए रखने के कारण।
शोधकर्ताओं ने वर्तमान दिशा, प्रकाश उत्सर्जक स्थिति और प्रकाश उत्सर्जक पथ को समायोजित करके उच्च प्रकाश निष्कर्षण दक्षता के साथ एक सिलिकॉन-आधारित एलईडी चिप संरचना का आविष्कार किया है, जो न केवल सब्सट्रेट प्रकाश अवशोषण और इलेक्ट्रोड अवरुद्ध प्रकाश की समस्या को हल करता है, बल्कि यह भी है एकल-पक्षीय प्रकाश उत्सर्जन और उच्च बीम गुणवत्ता के लाभ। विकसित नई एकीकृत संक्रमण परत न केवल उच्च अव्यवस्था घनत्व की समस्या को हल करती है, बल्कि बड़े वी गड्ढों के साथ एक उपकरण संरचना बनाने के लिए तर्कसंगत रूप से अव्यवस्थाओं का उपयोग करती है, छेद परिवहन पथ में सुधार करती है और एलईडी दक्षता में सुधार करती है।
तीन प्रमुख बेमेल को तीन प्रमुख लाभों में बदलने के आधार पर, उन्होंने प्रतिक्रिया गैस परिवहन पथ और जमाव तंत्र को समायोजित किया, एक घने समाक्षीय आस्तीन संरचना प्रतिक्रिया कक्ष का आविष्कार किया, और एक उच्च ईण्डीयुम घटक विकसित किया जो ईण्डीयुम के समावेश के लिए अधिक अनुकूल है। इंडियम गैलियम नाइट्राइड सामग्री विकास उपकरण सामग्री के विकास तापमान को बढ़ाता है, स्मृति प्रभाव को कम करता है, और क्वांटम को अच्छी तरह से और बाधा इंटरफ़ेस को स्थिर बनाता है; 20A/cm2 और 3 A/cm2, 565nm सिलिकॉन-आधारित पीले एलईडी लाइट के वर्तमान घनत्व द्वारा संचालित दक्षता को क्रमशः 149 lm/W और 192 lm/W के अनुरूप 24.3% और 33.7% तक बढ़ाया गया है, इस प्रकार प्रभावी ढंग से पीले अंतर को कम करना और दुनिया में एलईडी में उच्च दक्षता वाली पीली रोशनी की कमी की समस्या को हल करना।
सामग्री संरचना एक सिलिकॉन सब्सट्रेट ईण्डीयुम गैलियम नाइट्राइड कई क्वांटम अच्छी संरचना है जिसमें बड़े वी गड्ढों के साथ त्रि-आयामी पीएन जंक्शन है, और चिप एक तरफा प्रकाश उत्सर्जक, पतली फिल्म संरचना है।
पीला और एम्बर / नारंगी रंग एसएमडी एलईडी प्रकाश प्रभाव
विद्युत चश्मा:
पैकेज का आकार:
आवेदन
Guangmai . के बारे में
शेन्ज़ेन गुआंगमाई प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी उद्यम है जो आर [जीजी] amp; डी, उत्पादन, बिक्री और सेवा को एकीकृत करता है। अपनी स्थापना के बाद से, कंपनी [जीजी] के व्यापार दर्शन का पालन कर रही है; अखंडता, फोकस और नवाचार [जीजी] उद्धरण;, यूवी एलईडी, गहरी पराबैंगनी एलईडी, 265-405 एनएम: 2835 वायलेट, 3535 वायलेट 1414 वायलेट में विशेषज्ञता। यूवी मॉड्यूल, 6868 वायलेट, 7070 वायलेट, 5050 वायलेट, 3838 पर्पल लाइट 1212 पर्पल लाइट, और सीओबी इंटीग्रेटेड एलईडी पर्पल लाइट, लुमेन हाई-पावर एलईडी पर्पल लाइट, अनुसंधान और विकास और विशेष यूवी लाइट स्रोतों का उत्पादन। निरंतर प्रयासों के बाद, यूवी एलईडी पराबैंगनी प्रकाश इलाज, स्पंदित पराबैंगनी प्रकाश इलाज, यूवी एलईडी इंकजेट प्रिंटर, बायोमेडिसिन, पुलिस का पता लगाने और विश्लेषण प्रकाश स्रोत, संयंत्र विकास दीपक, वैज्ञानिक अनुसंधान मल्टी-बैंड प्रकाश स्रोत, पराबैंगनी नसबंदी, एलईडी फोटॉन चिकित्सा उपचार, पराबैंगनी जल उपचार, सब्जी प्रसंस्करण, वायु प्रसंस्करण, आदि मुख्य उत्पाद लाइन के रूप में। हमारा उद्देश्य है: गुणवत्ता से जीवित रहना, अखंडता के साथ सहयोग प्राप्त करना।
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