नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी

नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी विशिष्टताएँ:

प्रोडक्ट का नाम	नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी
भाग संख्या	जी.डी
चिप्स ब्रांड	नैनो स्टैक विशेष चिप्स उच्च वोल्टेज और उच्च विकिरण शक्ति के साथ। प्रत्येक चिप 3vdc अधिकतम 1000mA के साथ, कुल पैकेज 2S2P अंदर
इनपुट	3.5-4.5vdc अधिकतम 2000mA
विकिरण शक्ति	1400mA अग्रवर्ती धारा पर 4000-4500mW
प्रकाश दक्षता	अदृश्य आईआर प्रकाश, एलपीडब्ल्यू के बारे में उल्लेख नहीं करता है
रंग	850-855एनएम के साथ डेटाशीट। लेकिन हम आपके लिए {{0}nm, 940-950nm के साथ भी अनुकूलित कर सकते हैं।
शक्ति	10-12 वाट
पैकेज सामग्री	एएलएन सिरेमिक आकार 5x5 मिमी
प्रकाश कोण	120 डिग्री के साथ नियमित. हम 60 डिग्री के साथ भी कर सकते हैं.
ब्रांड और निर्माता	जीएमएलईडी, जीएमकेजे
गारंटी	4 साल
OEM सेवा	1. एसकेडी भाग उपलब्ध; 2. आपके आवश्यक आकार के साथ अनुकूलित एलईडी पीसीबी बोर्ड यहां ठीक हैं। 3. हम यहां आपके लिए एल ई डी एल्यूमीनियम को पीसीबी बोर्ड पर माउंट कर सकते हैं।

सामान्य इन्फ्रारेड एलईडी की तुलना में नैनो स्टैक इन्फ्रारेड एलईडी में क्या अंतर है?

नैनो स्टैक इन्फ्रारेड एलईडी पारंपरिक इन्फ्रारेड एलईडी से मुख्य रूप से निम्नलिखित तरीकों से भिन्न हैं:

दक्षता और शक्ति घनत्व: नैनो स्टैक तकनीक नैनोस्केल पर सेमीकंडक्टर सामग्री की कई परतों को स्टैक करके बहुत अधिक बिजली घनत्व की अनुमति देती है। यह संरचना उच्च फोटॉन उत्सर्जन दर को सक्षम बनाती है, जिसके परिणामस्वरूप पारंपरिक सिंगल-लेयर इंफ्रारेड एलईडी की तुलना में अधिक इंफ्रारेड तीव्रता और दक्षता होती है।

संक्षिप्त परिरूप: नैनोटेक्नोलॉजी-आधारित स्टैकिंग के कारण, ये एलईडी छोटे पैकेज में उच्च प्रदर्शन प्राप्त कर सकते हैं। यह मोबाइल उपकरणों या कॉम्पैक्ट सेंसर जैसे लघु या कॉम्पैक्ट प्रकाश स्रोतों की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से फायदेमंद है।

बेहतर ताप अपव्यय: नैनो स्टैक एलईडी में स्टैक्ड परतें गर्मी अपव्यय को बढ़ा सकती हैं, जिससे थर्मल गिरावट का खतरा कम हो सकता है, जो उच्च-शक्ति पारंपरिक इन्फ्रारेड एलईडी में आम है। इससे जीवनकाल भी लंबा होता है और समय के साथ प्रदर्शन भी अधिक स्थिर होता है।

उन्नत तरंग दैर्ध्य नियंत्रण: नैनो स्टैक तकनीक स्टैक में प्रत्येक परत की संरचना और मोटाई में हेरफेर करके उत्सर्जित प्रकाश की तरंग दैर्ध्य पर बेहतर नियंत्रण प्रदान करती है। यह अधिक सटीक तरंग दैर्ध्य आउटपुट प्रदान कर सकता है, जो उन अनुप्रयोगों के लिए मूल्यवान है जिनके लिए विशिष्ट अवरक्त तरंग दैर्ध्य की आवश्यकता होती है, जैसे कि बायोमेडिकल इमेजिंग या कुछ प्रकार की सेंसिंग में।

तेज़ प्रतिक्रिया समय: नैनोस्केल संरचना के कारण, नैनो स्टैक इन्फ्रारेड एलईडी में तेजी से स्विचिंग समय हो सकता है, जो उच्च गति ऑप्टिकल संचार जैसे त्वरित चालू/बंद चक्र की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए फायदेमंद है।

संक्षेप में, नैनो स्टैक इन्फ्रारेड एलईडी पारंपरिक इन्फ्रारेड एलईडी की तुलना में उच्च शक्ति घनत्व, अधिक दक्षता, बेहतर गर्मी अपव्यय, कॉम्पैक्टनेस, सटीक तरंग दैर्ध्य नियंत्रण और तेज़ प्रतिक्रिया समय प्रदान करते हैं, जो उन्हें अधिक मांग और विशेष अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी चित्र:

नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी आयाम:

नैनो स्टैक आईआर 810एनएम 850एनएम 940एनएम 5050 एसएमडी एलईडी विशिष्टताएँ:

पैरामीटर	प्रतीक	स्थितियाँ	मिन	औसत	अधिकतम	इकाइयों
फॉरवर्ड वोल्टेज	VF	IF=1400एमए	5.50	--	6.50	V
बोर्ड पर थर्मल प्रतिरोध जंक्शन	RΘJ-B	IF=1400एमए	--	3	--	डिग्री/डब्ल्यू
दीप्तिमान प्रवाह	Φe	IF=1400एमए	4000	--	4500	मेगावाट
शिखर तरंगदैर्घ्य	λp	IF=1400एमए	845	--	855	एनएम
उलटी बिजली	IR	VR=10V	−−	−−	10	μ A
देखने का दृष्टिकोण	2Θ1/2	IF=1400एमए	−−	120	−−	डिग्री

 

 

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