इस साल मई में, किंग अब्दुल्ला विज्ञान और प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय (KAUST) ने एक नई InGaN-आधारित लाल बत्ती माइक्रो एलईडी चिप के विकास की घोषणा की। बाहरी क्वांटम दक्षता (EQE) में सुधार किया गया है। एलईडी डिस्प्ले प्रचार-प्रसार में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। इस आधार पर, KAUST ने हाल ही में नई सफलताएँ हासिल की हैं।
विदेशी मीडिया रिपोर्टों के अनुसार, KAUST ने माइक्रो LED (μLEDs) चिप्स विकसित किए हैं जो सूक्ष्म एलईडी के पूर्ण रंग को साकार करते हुए पूरे दृश्यमान प्रकाश स्पेक्ट्रम में कुशलता से प्रकाश उत्सर्जित कर सकते हैं। वर्तमान में, KAUST टीम के संबंधित पेपर"Photonics Research" जर्नल में प्रकाशित हुए हैं।
रिपोर्टों के अनुसार, नाइट्रोजन मिश्र धातु एक अर्धचालक सामग्री है, सही रासायनिक मिश्रण के माध्यम से, आरजीबी तीन रंगों के प्रकाश का उत्सर्जन कर सकता है, माइक्रो एलईडी को आरजीबी पूर्ण-रंग प्रदर्शन प्राप्त करने में मदद करता है। हालांकि, जब नाइट्राइड चिप का आकार माइक्रोन स्तर तक कम हो जाता है, तो चमकदार दक्षता भी कमजोर हो जाएगी।
KAUST अनुसंधान दल ने एक विस्तृत विवरण दिया: चिप के आकार को कम करने के लिए मुख्य बाधा यह है कि उत्पादन प्रक्रिया के दौरान एलईडी संरचना का साइडवॉल क्षतिग्रस्त हो जाएगा, और दोषों की घटना से रिसाव होगा, जो प्रकाश उत्सर्जन को प्रभावित करेगा। चिप का। और, जैसे-जैसे आकार सिकुड़ता जाएगा, यह घटना और अधिक स्पष्ट होती जाएगी, इसलिए एलईडी चिप का आकार 400μm × 400μm तक सीमित है।
हालांकि, KAUST टीम ने इस समस्या में एक सफलता हासिल की और 17μm × 17μm के आकार के साथ एक उच्च चमक वाली InGaN लाल माइक्रो एलईडी चिप विकसित की।
यह बताया गया है कि अनुसंधान दल ने 10 × 10 लाल बत्ती माइक्रो एलईडी सरणी विकसित करने के लिए और एलईडी चिप संरचना के फुटपाथ को नुकसान को खत्म करने के लिए रासायनिक उपचार के माध्यम से पूरी तरह से कैलिब्रेटेड परमाणु जमाव तकनीक का उपयोग किया। परमाणु-स्तर के अवलोकन (पेशेवर उपकरण और नमूना तैयार करने की आवश्यकता होती है) के माध्यम से, शोध दल ने पुष्टि की कि रासायनिक उपचार के बाद फुटपाथों में उच्च क्रिस्टलीयता है।
अनुसंधान दल की टिप्पणियों के अनुसार, चिप सतह के प्रति 2 वर्ग मिलीमीटर क्षेत्र में उत्पादन शक्ति 1.76 mW जितनी अधिक है, जबकि पिछले उत्पाद के प्रति 2 वर्ग मिलीमीटर क्षेत्र में उत्पादन शक्ति केवल 1 mW है। इसके विपरीत, नए उत्पाद की उत्पादन शक्ति में काफी सुधार हुआ है, जिसका अर्थ है बाहरी क्वांटम चमकदार दक्षता में काफी सुधार हुआ है। इसके बाद, अनुसंधान दल ने एक विस्तृत रंग सरगम माइक्रो एलईडी डिवाइस का उत्पादन करने के लिए लाल बत्ती माइक्रो एलईडी चिप को इनगैन ब्लू और ग्रीन लाइट माइक्रो एलईडी चिप के साथ जोड़ा।
KAUST का मानना है कि उच्च चमक, तेज प्रतिक्रिया गति, विस्तृत रंग सरगम और कम ऊर्जा खपत के फायदे के साथ, InGaN माइक्रो एलईडी अगली पीढ़ी के माइक्रो एलईडी हेड-माउंटेड मॉनिटर, मोबाइल फोन, टीवी और अन्य उपकरणों के लिए एक आदर्श समाधान होगा। अगले चरण में, KAUST टीम माइक्रो एलईडी की दक्षता में और सुधार करेगी और आकार को 10μm से कम कर देगी।
यह ध्यान देने योग्य है कि Jingneng Optoelectronics ने पूर्ण-रंग InGaN-आधारित माइक्रो LED को प्राप्त करने के लिए सड़क पर सफलताएँ भी हासिल की हैं।
LEDinside' की समझ के अनुसार, Jingneng Optoelectronics ने एक सिलिकॉन-आधारित लाल माइक्रो LED चिप विकसित की है और लाल, हरे और नीले रंग के तीन प्राथमिक रंगों के साथ एक सिलिकॉन सब्सट्रेट पर सफलतापूर्वक GaN-आधारित माइक्रो LED सरणी तैयार की है। हालांकि, जिंगनेंग ने यह भी स्वीकार किया कि इसके लाल माइक्रो एलईडी चिप्स की वर्तमान बाहरी क्वांटम दक्षता परीक्षण विधियों को और अधिक अनुकूलित करने की आवश्यकता है।
माइक्रो एलईडी चिप प्रौद्योगिकी के छोटे आकार के संदर्भ में, इस साल मार्च में, कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय, सांता बारबरा (यूसीएसबी) ने भी 10μm से कम आकार के साथ एक InGaN-आधारित लाल बत्ती माइक्रो एलईडी चिप के पहले प्रदर्शन की घोषणा की है। , लेकिन यह बाहरी क्वांटम प्रकाश उत्सर्जन का भी सामना करता है। कम दक्षता की समस्या। यह बताया गया है कि इस चिप के वेफर माप पर मापा गया EQE केवल 0.2% है।
यूसीएसबी ने बताया कि माइक्रो एलईडी की बाहरी क्वांटम चमकदार दक्षता टर्मिनल डिस्प्ले की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कम से कम 2-5% तक पहुंचनी चाहिए। UCSB' की अगली योजना सामग्री की गुणवत्ता में सुधार करना और बाहरी क्वांटम दक्षता में वृद्धि प्राप्त करने के लिए उत्पादन चरणों को अनुकूलित करना है।
यह देखा जा सकता है कि माइक्रो एलईडी के पूर्ण रंग और व्यावसायीकरण को बढ़ावा देने के लिए अनुसंधान टीमों को अभी भी एक लंबा रास्ता तय करना है। लेकिन अच्छी खबर यह है कि, पिछले वर्षों की तुलना में, इस वर्ष माइक्रो एलईडी प्रौद्योगिकी में सभी पक्षों द्वारा की गई प्रगति की माइक्रो एलईडी उद्योग को बढ़ावा देने में महत्वपूर्ण भूमिका है, और टर्मिनल उत्पाद धीरे-धीरे सामने आए हैं, जिसका अर्थ है कि निर्माता और उपभोक्ता छोड़ रहे हैं माइक्रो एल ई डी और थोड़ा करीब।
